上海星辉光伏科技有限公司

主营:多晶太阳能电池的生产工艺详解

15050458881

站内搜索:
    • 公司:
    • 上海星辉光伏科技有限公司
    • 联系:
    • 周经理
    • 手机:
    • 15050458881
    • 地址:
    • 上海市博乐路1168号
本站共被浏览过 619455 次
用户名:
密    码:

分享:
产品知识
您所在的位置:首页 > 详细信息

多晶太阳能电池的生产工艺详解

2018-03-08 09:01:08    3048次浏览

太阳电池从研究室走向工厂,实验研究走向规模化生产是其发展的道路,所以能够达到工业化生产的特征应该是:

[1]电池的制作工艺能够满足流水线作业;

[2]能够大规模、现代化生产;

[3]达到高效、低成本。

当然,其主要目标是降低太阳电池的生产成本。多晶硅电池的主要发展方向朝着大面积、薄衬底。例如,市场上可见到125×125mm2、156×156mm2甚至更大规模的单片电池,厚度从原来的300微米减小到250、200及200微米以下。效率得到大幅度的提高。日本京磁(Kyocera)公司150×150的电池小批量生产的光电转换效率达到17.1%,该公司1998年的生产量达到25.4MW。

图片不存在丝网印刷及其相关技术

多晶硅电池的规模化生产中广泛使用了丝网印刷工艺,该工艺可用于扩散源的印刷、正面金属电极、背接触电极,减反射膜层等,随着丝网材料的改善和工艺水平的提高,丝网印刷工艺在太阳电池的生产中将会得到更加普遍的应用。

a.发射区的形成

利用丝网印刷形成PN结,代替常规的管式炉扩散工艺。一般在多晶硅的正面印刷含磷的浆料、在反面印刷含铝的金属浆料。印刷完成后,扩散可在网带炉中完成(通常温度在900度),这样,印刷、烘干、扩散可形成连续性生产。丝网印刷扩散技术所形成的发射区通常表面浓度比较高,则表面光生载流子复合较大,为了克服这一缺点,工艺上采用了下面的选择发射区工艺技术,使电池的转换效率得到进一步的提高。

b.选择发射区工艺

在多晶硅电池的扩散工艺中,选择发射区技术分为局部腐蚀或两步扩散法。局部腐蚀为用干法(例如反应离子腐蚀)或化学腐蚀的方法,将金属电极之间区域的重扩散层腐蚀掉。最初,Solarex应用反应离子腐蚀的方法在同一台设备中,先用大反应功率腐蚀掉金属电极间的重掺杂层,再用小功率沉积一层氮化硅薄膜,该膜层发挥减反射和电池表面钝化的双重作用。在100cm2的多晶上作出转换效率超过13%的电池。在同样面积上,应用两部扩散法,未作机械绒面的情况下转换效率达到16%。

c.背表面场的形成

背PN结通常由丝网印刷A浆料并在网带炉中热退火后形成,该工艺在形成背表面结的同时,对多晶硅中的杂质具有良好的吸除作用,铝吸杂过程一般在高温区段完成,测量结果表明吸杂作用可使前道高温过程所造成的多晶硅少子寿命的下降得到恢复。良好的背表面场可明显地提高电池的开路电压。

d.丝网印刷金属电极

在规模化生产中,丝网印刷工艺与真空蒸发、金属电镀等工艺相比,更具有优势,在当今的工艺中,正面的印刷材料普遍选用含银的浆料,其主要原因是银具有良好的导电性、可焊性和在硅中的低扩散性能。经丝网印刷、退火所形成的金属层的导电性能取决于浆料的化学成份、玻璃体的含量、丝网的粗糟度、烧结条件和丝网版的厚度。八十年度初,丝网印刷具有一些缺陷,Ⅰ)如栅线宽度较大,通常大于150微米;Ⅱ)造成遮光较大,电池填充因子较低;Ⅲ)不适合表面钝化,主要是表面扩散浓度较高,否则接触电阻较大。如今用先进的方法可丝网印出线宽达50微米的栅线,厚度超过15微米,方块电阻为2.5~4mΩ,该参数可满足高效电池的要求。有人在15×15平方厘米的Mc—Si上对丝网印刷电极和蒸发电极所作太阳电池进行了比较,各项参数几乎没有差距。

  •   一般来说,硅料包括原生多晶硅料和单晶硅回用料,原生多晶硅一般称为正料,其纯度较高,价格亦不菲;单晶硅回用料如单晶硅棒头尾料、边皮料、埚底料、电池片经过清洗处理后得到的原料等等。将硅料在单晶炉(在太阳能级单晶硅的生产工艺中以直拉炉较常见)
  • 上海专业多晶硅片收购,免费上门估价,价高同行,安全便捷最合理的价格专业收购硅料硅片,太阳能电池片回收,光伏组件回收,多晶电池(整片碎片)回收,半导体硅片回收,太阳能硅片回收,单晶硅片回收,多晶硅片回收,高效/低效电池片回收,崩边色差缺角电池
  • 在太阳能电池产品中,以硅半导体材料为主,其中又以单晶硅和多晶硅为代表。由于其原材料的广泛性,较高的转换效率和可靠性,被市场广泛接受。硅在民用产品上也有广泛的应用(如电子手表,计算器等),但是它的稳定性和转换效率劣于结晶类半导体材料。化合物太
  •   硅整流器与硅闸流管的问世促使硅材料的生产一跃而居半导体材料的首位。60年代硅外延生长单晶技术和硅平面工艺的出现,不但使硅晶体管制造技术趋于成熟,而且促使集成电路迅速发展。80年代初全世界多晶硅产量已达2500吨。硅还是有前途的太阳电池材
  •   扩散片是背光模组组成之一,扩散板(Diffuser)也有人叫它扩散片, 主要功能为显示器提供一个均匀的面光源。 基材需选择光透过率高的材料如PET/PC/PMMA。一般传统的扩散膜主要是在扩散膜基材中,加入一颗颗的化学颗粒,作为散射
  •   晶体缺陷  生产电子器件用的硅单晶除对位错密度有一定限制外,不允许有小角度晶界、位错排、星形结构等缺陷存在。位错密度低于 200/厘米2者称为无位错单晶,无位错硅单晶占产量的大多数。在无位错硅单晶中还存在杂质原子、空位团、自间隙原子团、
  •   碎硅片(Broken wafer)是操作人员在单晶硅片的切片、脱胶、清洗、物除去碎硅片中杂质的部分,按半导体阻态,碎硅片可分为高阻片和重惨片;其中高阻片按照生产工艺可分为:原片高阻、抛光片高阻和工艺片高阻。流的系列生产过程中因破损而产生
  • 单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方
  • ‍ 硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。  导电类型 导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼,N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷。  电阻率与均匀度
  • 在国内正规健全的回收机构并不多,往往还是有私人建立的小型回收机构,而电子垃圾处理的关键是回收问题,小型的回收机构很难完成大范围的电子设备回收任务,从而一些废旧电子设备便成为了污染环境的源头。而建立完善的回收体制需要得到广大群众的支持,至少具
  •   本公司专业硅料硅片回收长期以现金方式高价进行半导体硅片回收,太阳能电池硅片回收,单晶硅片回收,多晶硅片回收,废硅片回收,碎硅片回收,硅片回收,抛光硅片回收 太阳能硅片回收,头尾料回收,稀有金属回收,多晶硅回收,单晶硅回收。  我们回收价
  • 中国多晶硅工业起步于20世纪50年代,60年代中期实现了产业化,到70年代,生产厂家曾经发展到20多家。但由于工艺技术落后,消耗大,成本高等原因,绝大部分企业亏损而相继停产或转产。进入21世纪以来,强大的需求和丰厚的利润刺激着多晶硅产业的迅
  • 上海回收芯片,上海回收电子元件,上门回收硅料,上海多晶硅回收多晶硅太阳能电池兼具单晶硅电池的高转换效率和长寿命以及非晶硅薄膜电池的材料制备工艺相对简化等优点的新一代电池,其转换效率一般为17-18%左右,稍低于单晶硅太阳电池,没有明显效率衰
  • 目前碎硅片的处理方法是:对符合回收条件的电子级废硅碎料或块料作为原料重新回炉后使用。回炉前必须经过一系列的处理,包括反复的人工分拣、逐片检测,分为以下两种类型的处理方法:第一,对原生型碎硅片可通过清洗、烘干进行处理;第二,对成品型碎硅片根据
  •   在欧洲最早关注电子垃圾管理的国家是德国,德国于1991年7月颁布了《电子废弃物法规》,1992年起草了关于防止电子电器产品废弃物产生和再利用法草案,1996年德国公布更为系统的《循环经济和废物管理法》,德国在电子垃圾回收方面走在了欧盟的
  •   公司是经国家环保、工商等有关部门重点批准注册的一家大型再生物资回收企业,长期以现金方式长期高价回收,半导体硅片,太阳能电池硅片,单晶硅片,多晶硅片,废硅片,碎硅 片,硅片,抛光硅片回收 太阳能硅 片 头尾料,稀有金属,各种单晶硅圆形棒、
  •   中国多晶硅工业起步于20世纪50年代,60年代中期实现了产业化,到70年代,生产厂家曾经发展到20多家。但由于工艺技术落后,消耗大,成本高等原因,绝大部分企业亏损而相继停产或转产。  进入21世纪以来,强大的需求和丰厚的利润刺激着多晶硅
  • ‍  随着微型逆变器的使用,可以直接把光伏组件的电流源转化成为40V左右的电压源,就可以驱动电器应用我们的生活当中。  同时,光伏组件在不断创新,由于光伏组件在业内来讲叫做中国制造,应该有中国创造,进而出现光伏组件的升级创新产品
  •   硅具有优良的半导体电学性质。禁带宽度适中,为1.12电子伏。载流子迁移率较高,电子迁移率为1350厘米2/伏·秒,空穴迁移率为480厘米2/伏·秒。本征电阻率在室温(300K)下高达2.3×105欧·厘米,掺杂后电阻率可控制在104~1
  • 主要包括硅粉、硅棒、硅片、籽晶、单晶硅、多晶硅、半导体晶体管、单晶硅棒、单晶硅片、单晶硅切磨片、单晶硅抛光片、单晶硅外延片、单晶硅太阳能电池板、单晶硅芯片、砷化镓、单晶锗、太阳能电池圆片、方片、二级管、三级管、硅堆、复合半导体器件、微波射频

上海星辉光伏科技有限公司版权所有ID:11307993) 技术支持:武汉百业网科技有限公司   百业网客服:孙翠翠

5

回到顶部