产品信息
您所在的位置:首页 > 详细信息

徐州光伏组件回收,服务让你满意

2020-02-20 01:32:01 1637次浏览

价 格:面议

单体太阳电池不能直接做电源使用。作电源必须将若干单体电池串、并联连接和严密封装成组件。光伏组件(也叫太阳能电池板)是太阳能发电系统中的核心部分,也是太阳能发电系统中最重要的部分。其作用是将太阳能转化为电能,或送往蓄电池中存储起来,或推动负载工作。

  •   上海太阳能电池片回收:太阳电池片采用只需一次烧结的共烧工艺,同时形成上下电极的欧姆接触。银浆、银铝浆、铝浆印刷过的硅片,经过烘干使有机溶剂完全挥发,膜层收缩成为固状物紧密粘附在硅片上,这时可视为金属电极材料层和硅片接触在一起。当电极金属
  • ‍ 背面串接  背面焊接是将电池串接在一起形成一个组件串,我们目前采用的工艺是手动的,电池的定位主要靠一个膜具板,上面有放置电池片的凹槽,槽的大小和电池的大小相对应,槽的位置已经设计好,不同规格的组件使用不同的模板,操作者使用电
  • (A)太阳能电池片、125单晶、多晶A/B硅片、156单晶/多晶A/B硅片、碎片单晶/多晶裸片、扩散片、蓝膜片。  (B)单晶边皮料、头尾料、单晶破棒料、多晶边皮料、头尾料、复拉料、多晶底边 皮料、侧边皮料等各种硅料。  以及各类单 /多
  • 在工业生产中有广泛用途的硅产品,主要包括:硅铁、金属硅、硅锰、硅铝、钡锰钛铁、硅锰钒铁、硅铝钡铁、硅铝铁、硅钙、硅钢板、铝硅合金、镍铬-镍硅热电偶丝、锰硅合金、稀土硅钙钡、硅钙合金、硅钡合金、硅铬合金、镁硅合金、锗硅合金、硅钴、硅青铜、铁硅
  •   正面焊接  将汇流带焊接到电池正面(负极)的主栅线上,汇流带为镀锡的铜带,我们使用的焊接机可以将焊带以多点的形式点焊在主栅线上。焊接用的热源为一个红外灯(利用红外线的热效应)。焊带的长度约为电池边长的2倍。多出的焊带在背面焊接时与后面的
  •   回收多晶硅片,多晶硅硅锭、硅片、电池片、铝合金彩色边框组件、环氧树脂封装、光电幕墙组件、光电幕墙组件(全玻组件)、太阳能草坪灯、太阳能庭院灯、太阳能通信电源、太阳能移动电源、太阳能级多晶硅等。
  •   西门子法是由德国Siemens公司发明并于1954年申请了专利1965年左右实现了工业化。经过几十年的应用和展,西门子法不断完善,先后出现了第一代、第二代和第三代,第三代多晶硅生产工艺即改良西门子法,它在第二代的基础上增加了还原尾气干法
  • 扩散片是背光模组组成之一,扩散板(Diffuser)也有人叫它扩散片, 主要功能为显示器提供一个均匀的面光源。 基材需选择光透过率高的材料如PET/PC/PMMA。一般传统的扩散膜主要是在扩散膜基材中,加入一颗颗的化学颗粒,作为散射粒子,而
  • 物理清洗  物理清洗有三种方法。刷洗或擦洗:可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜。高压清洗:是用液体喷射片子表面,喷嘴的压力高达几百个大气压。高压清洗靠喷射作用,片子不易产生划痕和损伤。但高压喷射会产生静电作用,靠调节喷嘴到片子的距离、角
  • 电池的导电部分是由纳米级二氧化钛颗粒和帮助导电的电解质,以及金属钌衍生物的染料组成。与传统硅晶太阳能电池相比,这种新型太阳能电池可以吸收直射阳光以及漫射光源(如室内灯光等)。二氧化钛通常都用在油漆、防晒霜和食用色素中,成本低廉,适合大量生产
  • 扩散片是背光模组组成之一,扩散板(Diffuser)也有人叫它扩散片, 主要功能为显示器提供一个均匀的面光源。 基材需选择光透过率高的材料如PET/PC/PMMA。一般传统的扩散膜主要是在扩散膜基材中,加入一颗颗的化学颗粒,作为散射粒子,而
  • ‍ 减少资源的消耗  使用后的旧货进行回收,然后在进行加工对解决资源的紧张问题是非常有帮助的。我国的经济在之前一直发展的都是比较快的,不过能源的消耗也是非常多的,让资源和经济之间无法得到和谐发展。旧货回收行业的发展,让资源得到更
  •   中国光伏电池产量年增长速度为1-3倍,光伏电池产量占全球产量的比例也由2002年1.07%增长到2008年的近15%。商业化晶体硅太阳能电池的效率也从13%-14%提高到16%-17%。总体来看,中国太阳能电池的国际市场份额和技术竞争力
  •   我司宗旨:质量求生存,服务求发展。我们的目标是扩展您的每一个期望,并期望和您成为一个长期的合作伙伴,正如我们现有合作的客户一样。当您有这样的需求时,请不要犹豫,我们将投资我们的时间、知识、金钱去建立一个最理想的硅片收购解决方案来符合您的
  • 熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成三维空间长程有序的形式成为单晶硅。 单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的A 族元素,如硼可提
  • ‍ 硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。  导电类型 导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼,N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷。  电阻率与均匀度
  • 多晶硅(polycrystalline silicon)有灰色金属光泽,密度2.32~2.34g/cm3。熔点1410。沸点2355。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。加热至80
  •   科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展,使硅片(集成电路)这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。如果把现在国外超大规模集成电路硅片的价格换算成人民币,则芯片上平均每50个晶体管的价格还不到一分钱。一台微型电子
  •   电子废弃物中所蕴含的金属,尤其是贵金属,其品位是天然矿藏的几十倍甚至几百倍,回收成本一般低于开采自然矿床。有研究分析结果显示,1吨随意搜集的电子板卡中,可以分离出143kg铜、0.5kg黄金、40.8kg铁、29.5kg铅、2.0kg锡
  • 化学清洗是为了除去原子、离子不可见的污染,方法较多,有溶剂萃取、酸洗(硫酸、硝酸、王水、各种混合酸等)和等离子体法等。其中双氧水体系清洗方法效果好,环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清

上海星辉光伏科技有限公司版权所有ID:11307993) 技术支持:武汉百业网科技有限公司   百业网客服:孙翠翠

5

回到顶部